[00234826]一种利用微波辐照制备钒掺杂半绝缘碳化硅的方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201510649307.9

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：四川钒钛产业技术研究院

所在地：四川攀枝花市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明公开了一种利用微波辐照制备钒掺杂半绝缘碳化硅的方法，其特征在于：以单质钒金属粉末或固态含钒化合物为掺杂剂，以人造石墨粉、活性碳、碳纤维或天然鳞片石墨粉为碳源，以硅粉与氧化硅粉的混合粉末为硅源，真空环境条件下，在微波辐照的电磁场中保温，得到钒掺杂半绝缘碳化硅。该方法，与获得稳定晶体结构之后再进行掺杂的方式相比，不要严苛的注入条件，也保证了钒在的成功掺杂。而自组装的原位反应过程，以及能量最小化的晶格调整过程，也实现了结构理想的钒掺杂半绝缘碳化硅的顺利获取，成功回避了必须通过高温退火工艺进行后处理的影响。

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