交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：201310640099.7
交易方式： 完全转让 许可转让 技术入股
联系人： 武汉大学
所在地：湖北武汉市
本发明公开了一种Ta2O5/ZnO/HfO2非对称双异质结发光二极管及其制备方法。
该发光二极管在衬底自下而上依次为HfO2电子阻挡层、本征ZnO有源层、Ta2O5空穴阻挡层和第一电极，第二电极和HfO2电子阻挡层并列沉积在衬底上。采用Ta2O5作为空穴阻挡层，与HfO2电子阻挡层配合作用将载流子限制在ZnO有源层中，能有效地抑制p-GaN衬底侧的发光、提高ZnO有源层的发光强度。Ta2O5/ZnO/HfO2非对称双异质结发光二极管发光峰值波长在680nm附近，半高宽约为150nm。制备工艺简单、成本低廉，易于实现产业化。
Copyright © 2018 宁夏回族自治区生产力促进中心 版权所有 宁ICP备11000235号-3 宁公网安备 64010402000776号
联系电话：0951-5064080 网站访问量： 网站在线人数：0 技术支持：科易网 
微信公众号
