交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：201410015575.0
交易方式： 完全转让 许可转让 技术入股
联系人： 武汉大学
所在地：湖北武汉市
本发明公开了一种高介电、低损耗聚酰亚胺/CCTO@Ag纳米颗粒复合材料的制备方法。
该纳米颗粒复合材料的制备方法是以聚酰亚胺为基质制备，将制备好的CCTO@Ag纳米颗粒在无水乙醇中进行超声分散之后，与聚酰亚胺单体共混于溶剂中，然后在室温下使单体进行原位聚合反应，同时实现聚酰亚胺的共聚以及与CCTO@Ag纳米颗粒的插层复合，所得的原液采用涂膜法，经过梯度退火即得到聚酰亚胺/CCTO@Ag纳米颗粒复合薄膜。使用本发明方法制备的聚酰亚胺/CCTO@Ag纳米颗粒复合材料与纯的聚酰亚胺相比，其介电常数（103）提高30倍，纳米颗粒复合材料的制备方法且具有较低的介质损耗（0。006），在高储能电容器、人造器官以及高速集成电路等领域具有广阔的应用前景。
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