交易价格： 面议
类型： 实用新型专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：201620135450.6
交易方式： 完全转让 许可转让 技术入股
联系人： 武汉大学
所在地：湖北武汉市
本实用新型提供一种具备两相流和全内反射的光流控芯片。
光流控芯片包括光学探测微通道和分别位于光学探测微通道两端的微流入口和微流出口；所述微流入口包括样品粒子入口，鞘层1入口，鞘层2入口；所述鞘层1入口和鞘层2入口对称的分布在样品粒子入口两侧；所述微流出口旁设置有向光学探测微通道倾斜的光纤槽，所述光纤槽与光学探测微通道之间设置有准直凹透镜。光流控芯片引入了全内反射的消逝场来对纳米颗粒的高速探测的设计，两相流即混合油和乙二醇水溶液界面形成的全内反射消逝场的趋肤深度也为1μm左右，在此情形下芯层被消逝场全部覆盖，样品粒子流将全部经过消逝场探测区。
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