[00232270]一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201310029895.7

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：中国科学院过程工程研究所

所在地：北京北京市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

摘要：本发明公开了属于太阳能电池技术领域的一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法，该电池由基底、金属正极、光吸收层、缓冲层、窗口层、透明电极层和栅状金属负极顺次连接构成，光吸收层由至少两层不同能隙的铜铟镓硒薄膜组成。光吸收层的每个铜铟镓硒单层通过调整磁控溅射气体压力、温度范围以及功率密度直接成膜，或通过磁控溅射制备预制层，然后将预制层在氩气或氮气保护下400~500 oC硒化处理成铜铟镓硒薄膜；本发明的各单层CIGS薄膜具有不同的能隙，可以通过组合的方式调整光吸收层的能带的形状，兼顾载流子的收集和光谱响应曲线，光吸收层的吸收效率提高30%~50%。本发明电池光电转化效率高，工艺简便，所需设备简单，容易实现量产。

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