[00231544]一种氧化铱/铂纳米柱复合涂层修饰的微电极阵列及其制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201610858458.X

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：中国科学院深圳先进技术研究院

所在地：广东深圳市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明提供了一种氧化铱/铂纳米柱复合涂层修饰的微电极阵列，所述微电极阵列的电极表面设置有氧化铱/铂纳米柱复合涂层，所述氧化铱/铂纳米柱复合涂层包括依次设置于所述电极表面的铂纳米柱层和氧化铱层。该微电极阵列以氧化铱/铂纳米柱复合涂层为表面修饰层，该表面修饰层与微电极基底的结合力较好，不容易脱落导致电极失效，并且修饰后的微电极表面积极大地增加，其电化学阻抗明显降低，电极电荷注入容量和电荷存储能力大大增加，从而有利于降低植入的系统功耗，改善电刺激效果，同时该表面修饰层具有良好的生物相容性，使其在生物医学领域的应用大大增加。本发明还提供了一种氧化铱/铂纳米柱复合涂层修饰的微电极阵列的制备方法。

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