[00231302]植入式光电极采集调控装置

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201110234806.3

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：中国科学院深圳先进技术研究院

所在地：广东深圳市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明涉及一种植入式光电极采集调控装置，包括中央处理单元、位移调节单元及光电极采集调控单元；中央处理单元用于控制位移调节单元及光电极采集调控单元；位移调节单元用于调节光电极采集调控单元的植入深度；光电极采集调控单元用于对植入部位进行光调控及生理信号的采集，并将采集的生理信号反馈至中央处理单元。该植入式光电极采集调控装置将电极单元与光纤单元结合在一起构成光电极阵列，并且利用位移调节单元分别对电极单元和光纤单元进行操控，根据生物体内环境，调节二者植入的深度及位置，灵活度高，可以实现对植入部位更加精确、有效、高空间分辨率和长期的光调控和电生理记录，满足对神经系统和精神疾病的研究和治疗的要求。

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