[00230278]具有硅通孔结构的半导体器件

交易价格： 面议

类型： 实用新型专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201220604325.7

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：中国科学院深圳先进技术研究院

所在地：广东深圳市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本实用新型涉及一种具有硅通孔结构的半导体器件，包括：硅衬底，开设有自硅衬底上表面穿入内部的硅通孔；绝缘层，覆盖于所述硅衬底上表面、硅通孔的侧壁及硅通孔的底面；所述硅通孔的顶端与硅衬底上表面交界的拐角处覆盖的绝缘层厚度，大于所述拐角旁的硅衬底上表面覆盖的绝缘层及硅通孔的侧壁覆盖的绝缘层厚度。本实用新型在硅通孔的顶端与硅衬底上表面交界的拐角处覆盖的绝缘层较厚，保证了此处绝缘层的保型覆盖性，且因为厚度足够，不会因器件使用中的热应力导致绝缘层开裂，因此增强了器件的可靠性，提高了产品的良率。

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