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[00229983]铜铟镓硒薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法

交易价格: 面议

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201110306669.X

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 中国科学院深圳先进技术研究院

所在地:广东深圳市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明提供至少一种能够精确地实现理论设计的能带结构的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法。这种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法通过控制铜、铟、镓和硒四种单质分别在不同的温度下分阶段蒸发,控制镓和铟的蒸发温度在一定时间内均匀改变,从而主动控制镓和铟的蒸发量使得所述光吸收层两侧镓含量略高中间镓含量略低。由于精确控制元素蒸发速率随时间变化,可以精确地控制CIGS的能带结构,能够精确地实现理论设计的能带结构。

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