[00229329]一种在泡沫镍上快速生长石墨烯花簇阵列的方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201510980259.1

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：中科院重庆绿色智能技术研究院德领科技

所在地：重庆重庆市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

摘要：本发明公开了一种在泡沫镍上生长石墨烯花簇阵列的方法，将泡沫镍放置于等离子体化学气相沉积装置中，真空度控制在10-30毫巴，通入工作气体载入碳源至等离子体发生区域，0.1-1小时内，泡沫镍上生长出石墨烯花簇阵列，所述工作气体选自氢气，氩气或氦气中的一种或多种。此种方法可直接利用在泡沫镍基底上制备石墨烯花簇阵列，从而得到大比表面积的石墨烯包覆的泡沫镍电极，该结构大大提高了石墨烯的表面负载，为实现真正意义上的碳包覆多孔电极提供了一个简洁的方法。

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