[00223205]一种具有反衬金字塔凹坑阵列的高耐折镍导电膜的制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201710371335.8

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：中山大学

所在地：广东广州市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

摘要：本发明公开了一种具有反衬金字塔凹坑阵列的高耐折镍导电膜的制备方法，该制备方法是取镍盐、聚乙烯吡咯烷酮、水合肼、氨水进行水热反应，可在具有金字塔绒面结构的硅片上生长镍膜，将镍膜从硅片基底层揭下后即可获得具有反衬金字塔结构的凹坑阵列的自支撑镍膜。本发明省去导电材料的合成与浆料的制备环节，相对于传统工艺更为简单；本发明镍膜的反衬金字塔孔凹坑阵列结构具有优异的高耐折机械性能和导电性能；同时区别基于纳米银或者纳米铜的导电膜、导电纸，该镍导电膜化学稳定性优异，不存在银、铜所易于氧化问题的发生；且原料成本低廉；本发明的镍导电膜是一种无基底的自支撑镍膜，可以适用于高温或极度潮湿的场合。

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