[00223203]晶体生长界面扰动的原位探测方法、控制方法及控制系统

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201710025412.4

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：中山大学

所在地：广东广州市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

摘要：本发明涉及一种晶体生长界面扰动的原位探测方法，通过采集晶体生长过程中的晶体和熔体间的界面相电动势，获得实时变化的电信号数据；根据所述电信号数据的波动规律获得晶体生长界面的扰动状态。本发明还涉及一种晶体生长界面扰动的控制方法，根据本发明获得的晶体生长界面的扰动状态调整晶体生长条件，以控制晶体生长界面扰动。本发明还涉及一种晶体生长界面扰动的控制系统，包括晶体生长界面扰动控制装置、生长信号采集单元和信号处理单元。通过本发明的方法可以实时反馈晶体生长界面状态，使现有手段难以探测到的微弱的界面扰动得以清晰展现，突破性地解决了提拉法晶体生长界面扰动检测的难题。

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