[00223109]一种非挥发性无浮栅晶体场效应管存储器

交易价格： 面议

类型： 实用新型专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201520423424.9

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：中山大学

所在地：广东广州市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

摘要：本实用新型涉及存储技术领域，具体地，涉及一种非挥发性无浮栅晶体场效应管存储器。其包括SrTiO3衬底、设于SrTiO3衬底上的LaAlO3薄膜和分别设于SrTiO3衬底上并穿过LaAlO3薄膜的两个金属电极，两个金属电极分别作为源极S和漏极D，LaAlO3薄膜上设置有作为栅极G的金属电极，SrTiO3衬底与LaAlO3薄膜的界面之间形成二维电子气。本实用新型的LaAlO3薄膜具备了闪存器件结构中的绝缘层和浮栅层的功能，无需采用存储电荷的浮栅层，结构更简单，器件制备工艺会更简化，且可大幅度提高擦写速度。

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