[00223107]一种非挥发性阻变存储器有源集成结构
交易价格：
面议
类型：
实用新型专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201520423342.4
交易方式：
完全转让
许可转让
技术入股
联系人：
中山大学
所在地：广东广州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本实用新型涉及存储技术领域，具体地，涉及一种非挥发性阻变存储器有源集成结构。其包括SrTiO3衬底、设于SrTiO3衬底上的LaAlO3薄膜和设于SrTiO3衬底上并穿过LaAlO3薄膜的第一金属电极，第一金属电极作为源极S和位线，LaAlO3薄膜上设置有作为栅极G和字线的第二金属电极和作为板线的第三金属电极，SrTiO3衬底与LaAlO3薄膜的界面之间形成二维电子气。本实用新型将FET选择器的沟道层与阻变存储器的底电极通过二维电子气连接，可省去FET漏电极的制备，LaAlO3薄膜可同时作为FET选择器的介电层和非挥发性阻变存储器的存储介质，可大幅度简化集成器件结构单元，降低器件交叉阵列制备成本和高密度交叉阵列制备工艺。
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