[00223105]一种厚膜高耐压氮化物半导体外延结构及其生长方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201410731135.5

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：中山大学

所在地：广东广州市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

摘要：本发明涉及半导体材料外延生长领域，公开了一种厚膜高耐压氮化物半导体外延结构及其生长方法。其外延结构由下至上依次包括衬底、衬底上的成核层、成核层上的氮化物半导体材料层，所述氮化物半导体材料层包括在所述氮化物半导体材料层内被隔开的多个在具有界面粗化插入层结构上生长的基本氮化物夹层。所述氮化物半导体材料层包括具有粗化界面的氮化物插入层和位于所述具有粗化界面的氮化物插入层上方的氮化物夹层，所述氮化物夹层为一层弛豫氮化物夹层。所述弛豫氮化物夹层包括铝和镓，并且包括所述多个具有界面粗化结构和弛豫氮化物夹层的氮化物半导体材料层具有至少2.0μm以上的总厚度。本发明的半导体外延层结构简单，通过插入具有粗化界面结构的氮化物夹层可以大幅度降低外延层材料漏电流、提高外延层材料的击穿电压。

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