[00222251]一种极低导通电阻的槽型场氧功率MOS器件

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201210298122.4

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：重庆大学

所在地：重庆重庆市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

摘要：本发明公开了一种极低导通电阻的槽型场氧功率MOS器件，涉及一种半导体功率器件，包括衬底P型硅层、有源顶层硅和槽型场氧，有源硅层包含有纵向沟道、N-漂移区、P型硅区，以及埋于整个衬底表面的N+漏区；本发明在常规的槽型场氧器件基础上，采用埋于整个衬底表面的N+漏区，器件开态时，载流子直接通过漏区N+和源区N+间的N-漂移区运动，较常规槽型场氧结构大大降低了载流子的漂移距离，从而有效降低器件在开态时候的导通电阻。该结构同样适用于基于SOI技术的功率器件。

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