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[00222250]双轴张应变GeSnn沟道金属氧化物半导体场效应晶体管

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201310752794.2

交易方式： 完全转让 许可转让 技术入股

联系人： 重庆大学

所在地：重庆重庆市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

摘要：本发明提供一种带有双轴张应变的GeSnn沟道MOSFET。该MOSFET(10)包括衬底（101）、源极和漏极（102,103）、GeSn沟道（104）、绝缘介电质薄膜（105）以及栅电极（106）。源漏区域材料的晶格常数比GeSn沟道材料的晶格常数大，GeSn沟道形成XY面内的双轴张应变。这种应变有利于沟道GeSn材料由间接带隙结构变为直接带隙结构，电子迁移率大大提高，从而提高MOSFET性能。

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