[00222195]GHz硅基ScAlN薄膜谐振器及其制作工艺

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201610816703.0

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：重庆大学

所在地：重庆重庆市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

摘要：本发明公开了一种GHz硅基ScAlN薄膜谐振器，包括由上至下依次排列的IDT层、第一功能层、第一公共地电极层、第二公地电极层、晶种层、顶层SiO2层、第二功能层、中间夹层SiO2层、结构层和第一Al层，所述IDT层图形化后形成叉指电极和位于叉指电极两端的反射栅；该谐振器还包括第一介质保护层，所述第一介质保护层部分覆盖于IDT层上，部分覆盖于功能层上；所述第一介质保护层上设置有阵列窗口；所述第一介质保护层上设置有上电极层，所述上电极层包括覆盖于阵列窗口侧壁与底壁上的第二Al层以及由阵列窗口的边缘向外延伸形成的第三Al层。本发明通过晶种层的生长，一方面可提高公共电极生长的择优取向，增加电极层与介质层的粘附性，同时，可提高功能层的结晶度。

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