交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：201410154451.0
交易方式： 完全转让 许可转让 技术入股
联系人： 武汉大学
所在地：湖北武汉市
本发明公开了一种抗辐照多孔纳米膜，属于先进核能材料应用领域。其具有贯通表面的纵向纳米孔道，所述纵向纳米孔道的直径大于2纳米，所述纵向纳米孔道的间距小于间隙原子和He气体的扩散距离，并且每个纵向纳米孔道上还横向生长有枝杈状纳米孔道。利用多孔纳米膜丰富孔道，可以吸收辐照所产生的间隙原子、空位、嬗变气体等缺陷，还能将气体原子释放到材料外，从而大幅度降低材料体内缺陷浓度，防止间隙原子、空位、嬗变气体的聚集形成原子团簇、空洞、气泡等，大大提高了材料的抗辐照肿胀、硬化、非晶化能力。
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