交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：201410792370.3
交易方式： 完全转让 许可转让 技术入股
联系人： 武汉大学
所在地：湖北武汉市
本发明公开了一种在基片水平方向可控生长碳纳米管束的方法，属于纳米材料制备技术领域。该方法包括如下步骤：（1）在第一片基片表面加工出水平方向的微纳通道；（2）在微纳通道底部的一端沉积催化膜，并对其进行图形化；（3）采用键合工艺将第二片基片覆盖在微纳通道上方；（4）在第二片基片上刻蚀出与微纳通道连通的通气孔，形成半封闭式微纳通道；（5）在半封闭式微纳通道内生长碳纳米管束；（6）除去第二片基片、通气孔中的碳纳米管及其碳纳米管束四周的基片，即在基片水平方向得到与微纳通道尺寸一致的碳纳米管束。其优点是：在基片水平方向上可获得取向、尺寸、位置精确可控的碳纳米管束；工艺过程简单，易于实现，用途广泛。
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