交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：201410066301.4
交易方式： 完全转让 许可转让 技术入股
联系人： 武汉大学
所在地：湖北武汉市
本发明提供一种无机中红外非线性光学晶体材料，其化学式为Rb2CdBr2I2，上述材料的晶体空间群为Ama2，晶胞参数为a=11.764(8)?,b=12.025(8)?,c=8.446(6)?,α=β=γ=90°,Z=4。本发明还提供了上述晶体材料的制备方法，本发明制得的晶体材料具有以下特点：1.具有较强的能相位匹配的倍频效应（SHG)，Kurtz粉末倍频测试结果表明其粉末倍频效应为磷酸二氢钾（KDP)的4倍；2.激光损伤阈值达到190MW/cm2,是目前的商用的中红外非线性光学晶体材AgGaS2的激光损伤阈值的6倍。3.化合物在可见光区和中红外光区有很宽的透过范围，完全透过波段为0.4-14微米；4.不含结晶水，对空气稳定，且热稳定性较好；5.可利用简单的溶剂挥发法制备单晶材料。
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