交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：201210267363.2
交易方式： 完全转让 许可转让 技术入股
联系人： 桂林电子科技大学科技园
所在地：广西壮族自治区桂林市
本发明公开了一种实现真空容器内纳米光栅沉积基片位置操控的方法及其装置，主要由电磁击打器、位移发生器、标准位移物件收集器、传动机构、基片位移部件构成，利用真空容器外的控制装置使容器内位移发生器输出步进动作的方式实现真空容器内纳米光栅沉积基片位置的移动是一种操控新方法,就该方法而设计的装置可以简单、方便、快捷的实现沉积基片的位置调整，能够避免真空容器内电磁干扰、电子元器件气体释放及爆炸等对纳米光栅沉积基片研究的影响，具有较强的实际应用价值。
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