交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：201110278893.2
交易方式： 完全转让 许可转让 技术入股
联系人： 桂林电子科技大学科技园
所在地：广西壮族自治区桂林市
本发明公开了一种低压压敏电阻陶瓷材料及其制备方法，它是在ZnO-Bi2O3基低压压敏陶瓷中同时添加V2O5和TiO2来实现，用料量V2O5︰TiO2︰ZnO-Bi2O3基的摩尔比为0.05-0.08︰0.80-1.30︰98.62-99.15，其中ZnO-Bi2O3基包括ZnO、Bi2O3、Co2O3、MnCO3组成成分，且ZnO︰Bi2O3︰Co2O3︰MnCO3的摩尔比为97.40-98.20︰0.60-0.80︰0.80-1.20︰0.40-0.60，用传统制陶工艺烧制而成。本发明的优点是：(1)Ti掺杂可提高压敏陶瓷材料的非线性系数，降低电位梯度；(2)V掺杂可降低陶瓷材料的烧结温度，并节约能耗，降低成本；(3)预烧能增强粉体活性；(4)分段升温、保温的工艺可以提高陶瓷的质量和性能，同时降低能耗，节约成本。
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