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[00209589]InN材料及其太阳能电池应用

交易价格: 面议

类型: 非专利

技术成熟度: 正在研发

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 南京大学

所在地:江苏南京市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

  InN材料及其太阳能电池应用

  南京大学通过承担国家“863”计划项目的研究,已经掌握InN材料以及高In组分InGaN材料的生长技术,研制的InN材料电子迁移率达到935cm2/v*s,达到国际先进水平。并且已经取得了InGaN太阳能电池的制备技术。申请了多项国家发明专利。该太阳能电池采用In0.3Ga0.7N的薄膜材料,电极采用MSM结构。从图中可以看出,随着外加偏压的增大,电流响应率也随之逐渐增大。该电池的光电响应率达到2100A/W(450nm,3V)。

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