交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：200510037695.1
交易方式： 完全转让 许可转让 技术入股
联系人： 南京大学
所在地：江苏南京市
随着集成电路特征尺寸的逐渐减小，超低介电常数绝缘介质材料可应用于大规模集成电路、在CPU生成中替代传统SiO2以及其他现有低介电薄膜，可十分有效地减少发热和延迟。
我校研究人员已获得低于2.0的超低介电常数的纳米孔氧化硅薄膜材料，优点显著：1、介电常数低与2.0；2、薄膜中的纳米微孔分布均匀；3、薄膜中的微孔大小尺寸可调；4、薄膜的刚性、柔性可调控；5、薄膜电学性质稳定；6、与硅片的粘附性好。国内处于领先位置，和国外报道的相近，有较好的发展前景。（专利号：ZL200410044831.5，ZL200510037695.1)。
Copyright © 2018 宁夏回族自治区生产力促进中心 版权所有 宁ICP备11000235号-3 宁公网安备 64010402000776号
网站访问量： 网站在线人数：0 技术支持：科易网 
微信公众号
