交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：201410638045.1
交易方式： 技术入股
联系人： 中国科学院深圳先进技术研究院
所在地：广东深圳市
高质量CVD金刚石单晶项目介绍：
金刚石是自然界中各项物理性能都处于极限位置的材料，不仅是珠宝工业中的宝石之王，也是目前高精密新材料加工的唯一解决方案，更是未来半导体行业发展的终极材料，金刚石技术的发展对国家来说，在军事国防，民用工业，日常生活中都具有重要的实际和战略意义。
本项目采用微波等离子体辅助化学气相沉积方法（MPACVD），利用微波谐振系统将中低气压的含碳气体和刻蚀性气体击穿，产生等离子体，设计单晶金刚石晶体模型生长策略，使得金刚石晶体能够在IIb型金刚石籽晶的100和110以及111生长方向上实现同质外延生长，从而得到高质量、无缺陷CVD金刚石单晶层。
目前在本项目的框架下，自主开发高效的单晶金刚石晶体生长模型策略，在精确控制金刚石的温度以及微波等离子体功率密度情况下，可以实现长时间无人值守的外延生长，取得高质量CVD单晶样品大于1克拉。
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