交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：201210521831.4
交易方式： 完全转让 许可转让 技术入股
联系人： 太原理工大学
所在地：山西太原市
本发明公开了一种涂覆型纳米钯薄膜催化电极及其制造方法（专利号201210521831.4），所述催化电极为直径为6—100毫米、高度为1—10毫米的金属钴片，金属钴片的纯度在99wt.%以上，在钴片的上表面涂覆有成分为10-100at.%的钯金属，本发明催化电极采用纯钯丝或钯片为源极，利用电火花放电熔覆方法，使钯源极材料沉积到钴基底上，形成表面钯薄膜与钴基底牢固结合的催化电极。用本发明方法制备的催化电极，具有膜层与基底结合好，比表面积高，贵金属利用率高，催化活性好，抗中毒性能高，工艺简单，适于燃料电池用催化电极的大规模生产。
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