交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：201210166884.9
交易方式： 完全转让 许可转让 技术入股
联系人： 太原理工大学
所在地：山西太原市
一种碳化硅纳米线及其阵列的制备方法（专利号201210166884.9），属于纳米技术领域。包括如下步骤：（1）将正硅酸乙酯加入乙醇水溶液中，向其中滴入氨水，混合均匀后，再向其中加入纳米碳粉，混合均匀；（2）凝胶化处理，所得凝胶经干燥、研磨，得到干凝胶粉末；（3）取上述干凝胶粉放入氧化铝舟中一侧，单晶硅片放入氧化铝舟的另一侧，将所述氧化铝舟放入氧化铝管中，其中所述氧化铝舟上的干凝胶粉居于氧化铝管的正中央，单晶硅片置于氧化铝管中的下风口处；在氩气气氛下，升温，恒温反应2~6小时，反应结束后，降至室温，在氧化铝管壁上得到碳化硅纳米线，在单晶硅片上得到纳米线阵列。本发明提供了一种简单的、反应条件可控的SiC纳米线及其阵列的制备方法。
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