交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：201210541857.5
交易方式： 完全转让 许可转让 技术入股
联系人： 太原理工大学
所在地：山西太原市
一种Zn1-xMgxO基异质结及其制备方法（专利号201210541857.5），其所述异质结是由衬底上的n-Zn1-xMgxO薄膜层和p-Ni1-yMgyO薄膜层构成；其所述方法是将ZnO、MgO与Al2O3粉末，或者ZnO、MgO与Ga2O3粉末混合后压制成型并烧结，制得掺Al或Ga的Zn1-xMgxO陶瓷靶材；将NiO、MgO和Li2CO3粉末混合后压制成型并烧结，制得掺Li的Ni1-yMgyO陶瓷靶材；将衬底置于脉冲激光沉积装置，调整靶材与衬底间距离，在适当的衬底温度、氧气压强和激光频率下，以掺Al或Ga的Zn1-xMgxO陶瓷靶为溅射靶材，在衬底上沉积n-Zn1-xMgxO薄膜层；然后以掺Li的Ni1-yMgyO陶瓷靶为溅射靶材，在n-Zn1-xMgxO薄膜层上沉积p-Ni1-yMgyO薄膜层，获得Zn1-xMgxO基异质结。本发明方法简单，成本低廉，生长条件易控且界面晶格匹配性好，有利于提高器件的性能，所获得的Zn1-xMgxO基异质结在短波长光电子器件和透明电子学领域具有广泛的应用前景。
Copyright © 2018 宁夏回族自治区生产力促进中心 版权所有 宁ICP备11000235号-3 宁公网安备 64010402000776号
联系电话：0951-5064080 网站访问量： 网站在线人数：0 技术支持：科易网 
微信公众号
