交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：201310106901.4
交易方式： 完全转让 许可转让 技术入股
联系人： 太原理工大学
所在地：山西太原市
一种电场反应热压法制备多孔纳米镁硅基块体热电材料的方法（专利号201310106901.4），属于热电材料及制备方法的技术领域，其特征在于是一种采用电场反应热压法一步制备多孔纳米Mg2Si基块体热电材料的方法，该方法一步实现Mg2Si的反应合成和致密化烧结，工序简单，成本低，生成物纯度高，方便添加各种掺杂物质，生成物具有多孔纳米结构。有效避免了多步制备方法中对产品的持续污染。同时，反应和烧结致密化同步进行，降低了产品制备所需要的温度和时间，有效抑制晶粒粗化。在保护气体作用下，反应副产物以纳米孔洞的形式聚集于晶界，进一步抑制晶粒长大并增强声子散射。生成的产物反应完全，晶粒尺寸小于70nm，断面孔洞率约为5-15%，孔洞和纳米晶粒的共存在有利于减小产物热导率。
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