交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 通过小试
专利所属地：中国
专利号：ZL200810063399.2
交易方式： 完全转让 许可转让 技术入股
联系人： 何霞
所在地：浙江杭州市
一种具有高导电性能ITO膜的制备方法
本发明涉及一种膜的制备方法，旨在提供一种具有高导电性能ITO膜的制备方法，包括以下步骤：(1)将锡的无机盐前驱物溶于乙醇，将铟的无机盐前驱物溶于乙酰丙酮，控制锡和铟的摩尔质量之比为1∶10；将两种溶液混合后在60~65℃下搅拌回流3小时，得到均一透明的淡黄色溶胶；(2)以石英玻璃为基体，对上述溶胶进行提拉镀膜，提拉速度为200mm/min；再将溶胶膜在100℃下预热处理10分钟，之后在550℃下退火处理1小时，得到1层的ITO膜；重复以上步骤，得到多层的ITO膜；(3)将前述多层的ITO膜置于紫外光源下经紫外光照射处理1~10分钟，得到具有高导电性能的ITO膜。
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