交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 通过小试
专利所属地：中国
专利号：ZL 201220229413.3
交易方式： 完全转让 许可转让 技术入股
联系人： 安徽大学
所在地：安徽合肥市
一种基于BIST控制的可编程SRAM时序控制电路
一种基于BIST控制的可编程SRAM时序控制电路，包括BIST模块、控制单元以及含有可编程时序控制模块的SRAM模块，其特征是：可编程时序控制模块设有可编程读、写时序控制电路、字线WLL负载复制单元以及读、写位线负载复制单元，可编程读、写时序控制电路的输入为控制单元输出的读、写控制信号，可编程读、写时序控制电路的输出分别连接字线负载复制单元及读、写位线负载复制单元的输入，可编程读、写时序控制电路还输出Rref信号连接灵敏放大器时序控制电路的使能端，二级译码及字线驱动电路中字线WLL驱动复制单元的输出连接可编程读、写时序控制电路的时序端。
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