交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 通过小试
专利所属地：中国
专利号：ZL 2012 2 0051608.3
交易方式： 完全转让 许可转让 技术入股
联系人： 安徽大学
所在地：安徽合肥市
一种双位线亚阈值存储单元电路
一种双位线亚阈值存储单元电路，采用双端读写操作，电路包括第一反相器和第二反相器，两个反相器连接成交叉耦合，采用读写位线分离的双位线结构，交叉耦合的两个存储节点分别通过一个NMOS管连接到两根写位线上，同时交叉耦合的两个存储节点通过一个NMOS管与一个PMOS管连接到两根读位线上。本实用新型采用PMOS衬底调节技术，即将所有的PMOS的衬底端都连接到其栅端，能够在保证系统不增加额外管理功耗和不降低性能的前提下，实现动态操作能耗和静态操作中泄漏功耗的同时降低，提高了存储单元的静态噪声容限，使系统性能最优化。
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