交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：ZL200910100883.2
交易方式： 完全转让
联系人： 浙江高校产学研联盟中心——海宁中心
所在地：浙江金华市
本发明涉及场发射显示技术领域，特别是一种多孔硅场发射发光二极管及其制作技术。本发明的多孔硅场发射发光二极管，包括导电玻璃、荧光粉、多孔硅片，其中，多孔硅片为多孔硅场发射发光二极管的阴极，多孔硅片由硅基底和多孔硅层组成；多孔硅场发射发光二极管的阳极由荧光粉涂履在导电玻璃的导电层上而成；多孔硅场发射发光二极管的附有荧光粉的导电玻璃导电层与多孔硅片的多孔硅层之间的间隙，通过隔离子和密封材料构成一真空度在1×10-5Pa以下的密封空腔。本发明多孔硅场发射发光二极管的制作步骤：1.多孔硅片的制作；2.多孔硅场发射发光二极管的制作，其中：(1)制作阴极，(2)制作阳极，(3)制作隔离子，(4)真空封装。
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