交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：ZL201110458460.5
交易方式： 完全转让
联系人： 厦门大学
所在地：福建厦门市
GaN基外延薄膜自分裂转移方法，涉及用于光电器件中的GaN基薄膜。先在GaN基外延薄膜上蒸镀或溅射一层或多层金属，使之成为欧姆接触层，其中加入高反射率金属起到反射镜作用，再利用光刻方法在金属表面上制作出图形化光刻胶；在样品表面没有光刻胶的部分电镀金属衬底，并采用化学法去除光刻胶；把样品键合到支撑衬底上；采用激光光源透过蓝宝石衬底辐照样品，依据激光剥离技术去除蓝宝石衬底，有电镀金属区域的GaN基薄膜则转移到电镀的厚金属衬底，无电镀金属区域的GaN基薄膜发生分裂形成碎片，结果使GaN基外延薄膜实现自分裂和转移。不仅可降低成本、简化工艺，而且可避免金属基板切割和解决因切割金属衬底而造成器件短路问题。
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