交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：ZL201110304940.6
交易方式： 完全转让
联系人： 厦门大学
所在地：福建厦门市
直流离子阱，涉及气态离子存储装置。设有前电极、外筒、后电极和中心电极；前电极、后电极和中心电极之间使用绝缘件连接；由前电极、外筒和后电极构成离子阱存储腔体的外壁，在前电极、外筒和后电极上分别施加正电压，在中心电极上施加负电压，使离子阱内形成凹形的电势场。无需使用射频电源，整体结构简单；离子存储量将由各电极的电位差和阱的尺寸大小来共同决定；通过加入合适的背景气体就能实现碰撞冷却或是动态反应装置，功能被大大加强；理论上适用于所有质量范围的离子的存储；具备了能量过滤功能；通过电极电位的控制能引导离子引出的流向。
成果推荐 需求推荐 评估专家推荐 评估机构推荐
Copyright © 2018 宁夏回族自治区生产力促进中心 版权所有 宁ICP备11000235号-3 宁公网安备 64010402000776号
联系电话：0951-5064080 网站访问量： 网站在线人数：0 技术支持：科易网 
微信公众号
