交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：ZL201110202745.2
交易方式： 完全转让
联系人： 厦门大学
所在地：福建厦门市
一种用激光提纯多晶硅片的方法，涉及多晶硅片。提供一种效率较高、工艺简单、污染较小的用激光提纯多晶硅片的方法。将多晶硅片清洗、烘干后，放置加热平台上进行预热；用激光对预热后的多晶硅片进行辐照；使激光对多晶硅片进行辐照扫描处理；对多晶硅片进行退火处理；刻蚀多晶硅片表层部分，得到目标产品。质谱分析表明，可一次将多晶硅片中部分区域的铁含量降低2~3个数量级；提纯后可直接应用于太阳电池等应用。直接加工低纯度的多晶硅片，减少硅产业中低纯度硅的重新回收加工。可大批量连续生产。通过激光熔化硅片再凝固也可以降低多晶硅片中磷的含量。
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