交易价格: 面议
类型: 发明专利
技术成熟度: 正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN200710159200.1
交易方式: 完全转让
联系人: 中国科学院大连化学物理研究所
所在地:江苏苏州市
本发明涉及一种加工具有微孔的RB-SiC表面加工及处理方法,在RB-SiC基底采用表面沉积或能流注入方法产生致密化的加工层;然后对致密化的加工层进行常规精抛光加工,再采用纳米抛光方法对加工层进行抛光。本发明将表面改性技术和光学机械加工相结合,其针对RB-SiC存在的微孔缺陷,利用表面改性技术使得待加工RB-SiC基底表面致密化,然后再进行光学二次加工,以实现RB-SiC基底表面的粗糙度小于1nm(rms)水平。因此本发明为以具有微孔材料为基底的超光滑表面加工提供了行之有效的方法。
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