交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201120530756.9
交易方式： 完全转让
联系人： 中国科学院大连化学物理研究所
所在地：江苏苏州市
本实用新型设计了一种离子迁移谱的气体膜进样装置，包括：电离源、膜外侧腔、膜内侧腔、半透膜、推斥极、离子中和盘、抽气泵和三通阀。采用的技术手段包括：膜内侧腔设置形成负压的装置；膜外侧腔设置电离源，膜两侧设置电场，样品能以离子的形式透过半透膜。在浓差、压差和电场的作用下，样品以分子和离子的形式透过半透膜，提高了样品在膜进样装置中的透过率和透过速度。
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