交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN200910010864.0
交易方式： 完全转让
联系人： 中国科学院大连化学物理研究所
所在地：江苏苏州市
本发明涉及激光解吸离子化质谱，具体地说是类金刚石碳膜作为基质在激光解吸离子化质谱分析中的应用。采用类金刚石碳膜表面作为激光解吸离子化飞行时间质谱的辅助基质，对低分子量化合物具有较高的解吸离子化效率，同时不产生基质分子的背景干扰，从而实现了低分子量化合物高效，快速的检测。采用类金刚石碳膜作为辅助基质的激光解吸离子化飞行时间质谱，是不需要加入任何有机基体的一种新的解吸离子化方法，为天然产物和生态代谢物等低分子量化合物提供了一个通用、高效，快速的检测方法，推动了激光解吸离子化飞行时间质谱技术对小分子化合物分析的发展，也为类金刚石碳膜材料的应用找到了一个新的领域。
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