交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN200510130766.2
交易方式： 完全转让
联系人： 中国科学院大连化学物理研究所
所在地：江苏苏州市
一种用于光伏电池的II-VI族半导体薄膜制备技术，利用水热晶化的方法在导电玻璃衬底上制备出ZnS、Cu2S薄膜；CdS-ZnS、CdS-CdTe复合薄膜；CuInS2薄膜和Au/n-In2S3/p-CuInS2/SnO2/glass光伏电池。本发明通过采用水热晶化的方法，制备出各种可以应用于光伏电池的II-VI族半导体薄膜，和Au/n-In2S3/p-CuInS2/SnO2/glass光伏电池，较大幅度的降低了光伏电池的制备成本，为其大规模工业化生产提供了一种新型廉价的制备路线。
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