交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN200980128538.8
交易方式： 完全转让
联系人： 中国科学院大连化学物理研究所
所在地：江苏苏州市
制造多孔碳化硅的方法，包括使碳化硅反应物的颗粒与碳颗粒混合，并在包含分子氧的气氛中于超过950℃的温度煅烧该混合物，其中混合物中碳化硅∶碳的质量比率为5∶1-1∶10。
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