交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：200910272929.9
交易方式： 完全转让
联系人： 武汉大学苏州研究院
所在地：江苏苏州市
本发明公开了一种基于n-氧化锌/n-氮化镓异质nN结的紫外发光二极管及其制备方法。该异质nN结的紫外发光二极管至少包括nN结和欧姆接触电极,其是在生长有n型氮化镓的蓝宝石衬底上生长n型氧化锌薄膜形成异质nN结,或在生长有n型氮化镓的蓝宝石衬底上先生长一中间层薄膜,再生长n型氧化锌薄膜形成异质nN结。本发明制备的n-ZnO/n-GaN异质nN结二极管具有较好的发光性能、以及较低的阈值电压,其阈值电压最低可达2.5V,所发光波长在370nm附近,线宽小于8.8nm,并且发光强度极高。
Copyright © 2018 宁夏回族自治区生产力促进中心 版权所有 宁ICP备11000235号-3 宁公网安备 64010402000776号
联系电话：0951-5064080 网站访问量： 网站在线人数：0 技术支持：科易网 
微信公众号
