交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：200810070672.4
交易方式： 完全转让 许可转让 完全转让
联系人： 厦门大学
所在地：福建厦门市
项目简介：
一种红外光源及其制备方法，涉及一种红外光源。提供一种基于绝缘体上的硅晶片，具有体积小、能耗低、发射强度高、调制频率高、电－光能量转换效率高等特点的红外光源及其制备方法。设有支撑框架、发光薄膜结构和电极，发光薄膜结构支撑于支撑框架上方，电极位于支撑框架上方，电极通过在氧化硅保护层开设电极孔与多晶硅发光层接触，电极通过压焊金属丝与管壳管脚相连。将晶片氧化，在氢氟酸中腐蚀掉晶片器件层上的氧化硅层；器件层浓硼扩散形成红外吸收层；在红外吸收层表面热氧化氧化硅层；沉积多晶硅；５次光刻后，使用深反应等离子刻蚀工艺从背面刻蚀出发光薄膜结构；晶片合金化退火，沿划片槽裂片，封装。
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