交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：200810071934.9
交易方式： 完全转让 许可转让 完全转让
联系人： 厦门大学
所在地：福建厦门市
项目简介：
一种锗量子点的制备方法，涉及一种制备锗量子点的方法。提供一种可实现小尺寸、高密度、没有浸润层的Ｇｅ量子点的制备方法。在硅衬底或绝缘体上的硅衬底上，生长一层ＳｉＧｅ合金层，Ｇｅ组分大于０，小于等于０．５；将ＳｉＧｅ合金层依次用３种清洗液中的至少一种进行清洗，清洗后在ＳｉＧｅ合金层表面形成一层氧化物层，氧化物为ＳｉＯ↓［２］和ＧｅＯ↓［２］的混合物；将覆盖有氧化物层的ＳｉＧｅ合金层放入真空腔体内加热脱氧，得Ｇｅ量子点。加热温度可大于等于脱氧温度，小于ＳｉＧｅ的熔点。
成果推荐 需求推荐 评估专家推荐 评估机构推荐
Copyright © 2018 宁夏回族自治区生产力促进中心 版权所有 宁ICP备11000235号-3 宁公网安备 64010402000776号
联系电话：0951-5064080 网站访问量： 网站在线人数：0 技术支持：科易网 
微信公众号
