交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：200810070524.2
交易方式： 完全转让 许可转让 完全转让
联系人： 厦门大学
所在地：福建厦门市
项目简介：
基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管，涉及一种异质结光晶体管。提供一种可极大地增加吸收区ＳｉＧｅ层的锗组分和ＳｉＧｅ层厚度，响应度高，响应波长范围宽，可对各区的Ｇｅ组分和厚度自由调节，设计灵活性强，主要用于近红外波段入射光探测的基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管。设有硅基硅锗虚衬底，在虚衬底上依次设有集电区、吸收区、基区和发射区，集电区为Ｓｉ↓［１－ｙ］Ｇｅ↓［ｙ］层，吸收区为Ｓｉ↓［１－ｚ］Ｇｅ↓［ｚ］（ｙ＜ｚ≤１）层或Ｓｉ↓［１－ｚ］Ｇｅ↓［ｚ］／Ｓｉ↓［１－ｙ］Ｇｅ↓［ｙ］（ｙ＜ｚ≤１）多周期量子阱，基区为压应变的Ｓｉ↓［１－ｘ］Ｇｅ↓［ｘ］层（ｙ＜ｘ≤１），发射区为Ｓｉ↓［１－ｙ］Ｇｅ↓［ｙ］层；在集电区、基区和发射区上设电极。
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