交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：200910112910.8
交易方式： 完全转让 许可转让 完全转让
联系人： 厦门大学
所在地：福建厦门市
项目简介：
用于百兆级850nm光通讯的光接收组件和制备方法，提供一种与商业CMOS工艺兼容，可替代现有850nm光收发器中混合集成，可满足传输要求的用于百兆级850nm光通讯的光接收组件和制备方法。光接收组件设850nm光电单片集成接收芯片、管座、管帽、管脚和适配器。芯片设前置放大电路和光电探测器，前者设2个互阻式放大电路、3级差分放大器、输出缓冲电路和直流负反馈电路。光电探测器的纵向自下而上是低掺杂的P型硅衬底；P阱；N型重掺杂硅层、场氧层和铝层；三层SiO2绝缘介质层；Si3N4表面钝化层。采用CMOS工艺将芯片贴片于管座上；将芯片的焊盘与管脚用金丝线键合连接；盖上管帽，与适配器按同轴封装。
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