交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN200810149020.X
交易方式： 完全转让
联系人： 中国科学院海西研究院
所在地：福建福州市
本发明涉及硫化镓钡单晶体及其生长方法及其红外非线性光学器件。其分子式为BaGa4S7，属于正交晶系，空间群为Pmn21，晶胞参数为a=14.755，b=6.228，c=5.929，α=β=γ=90°。该非线性光学材料的制备可采用坩锅下降法，得到它们的化合物及其单晶。该材料可应用于制造二次谐波发生器，上、下频率转换器，光参量振荡器。
成果推荐 需求推荐 评估专家推荐 评估机构推荐
Copyright © 2018 宁夏回族自治区生产力促进中心 版权所有 宁ICP备11000235号-3 宁公网安备 64010402000776号
网站访问量： 网站在线人数：0 技术支持：科易网 
微信公众号
