交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN200810071785.6
交易方式： 完全转让
联系人： 中国科学院海西研究院
所在地：福建福州市
本发明涉及激光晶体掺铒钼酸锂钡钇及其制备方法和用途。该方法采用60~80at%Li2MoO4为助熔剂，降温速率为0.5~2℃/天，转速为5~30转/分钟，生长出了高质量、较大尺寸的Er3+:Li3Ba2Y3(MoO4)8晶体.该晶体属单斜晶系，具有C2/c空间群结构。该晶体是一种新型的激光晶体，可产生1500nm左右波长的激光输出。
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