交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN200810071783.7
交易方式： 完全转让
联系人： 中国科学院海西研究院
所在地：福建福州市
本发明激光晶体掺钕钼酸锂钡镧及其制备方法和用途。该方法采用60~80at%Li2MoO4为助熔剂，降温速率为0.5~2℃/天，转速为5~30转/分钟，生长出了高质量、较大尺寸的Nd3+:Li3Ba2La3(MoO4)8晶体。该晶体属单斜晶系，具有C2/c空间群结构。该晶体是一种新型的激光晶体，易于产生1.06μm左右波长的激光输出。用该晶体制成的固体激光器可用于光谱学、生物医学、军事等诸多领域中。
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